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  • ISSI 开始提供 RLDRAM(R) 3 代内存芯片
    编辑:ISSI代理 [ 2014/12/1 ] 文章来源:ISSI官网
    ISSI 开始提供 RLDRAM(R) 3 代内存芯片ISSI一个高级存储解决方案的领导者,今天宣布与美光科技公司工作,成为另一个供应商的微米的第三代减少延迟DRAM(RLDRAM(R)3的内存)。RLDRAM 3内存将增加ISSI的越来越多的家庭网络产品。RLDRAM 3内存提供高带宽的一个长期的解决方案,减少延迟的内存要求,被如100千兆以太网标准驱动(100G以太网)。 IEEE最近批准了p802.3ba标准100GBE帮助企业客户和服务提供商解决更大的带宽要求。这个带宽需求正在等应用云计算的驱动,和基于互联网的视频服务,如IPTV,视频点播和临场感。为了支持这些应用的高利率,高带宽和延迟降低存储要求。 RLDRAM 3内存提供数据速率高达2133mb/s和业界最低的随机存取延迟与TRC亚10纳秒。此外,一种多组写功能使RLDRAM 3满足子2.5ns读TRC。更高的能源效率也通过熟悉的1.2V IO和1.35V核心电压等级的实现。 “扩展的产品设计和生命周期支持是网络领域的重要标准,说:”ISSI代理商的联系方式布鲁斯富兰克林,在微米级的网络和存储业务发展高级经理。”ISSI公司已经在保持满足顾客的长期设计产品寿命周期是成功的,这使得它们提供RLDRAM 3内存的一个很好的选择。” ISSI的主要的网络客户表现出极大兴趣ISSI作为RLDRAM 3记忆的替代供应商。”通过与微米可以服务我们的客户要求提供RLDRAM 3内存。我们很高兴能够解决我们的客户一个高带宽需求,减少延迟记忆被如100千兆以太网标准驱动(100G以太网),”帕特说拉萨尔,ISSI公司的市场战略总监。
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